Guest
Новичок
|
   
Ginza9
а ты не мог бы написать решение 1й?? очень надо!!! а то у мемя самого много глюков в решении будет...=///
|
Всего сообщений: Нет | Присоединился: Never | Отправлено: 26 марта 2006 9:31 | IP
|
|
KMA 
Долгожитель
|
 
Люди подкиньте идейку, с чего начать решение следующей задачи.
Заряд распределен равномерно по бесконечно длинному проводу, находящемся от безгранично проводящей плоскости на расстоянии L. Найти силу, действующую на единицу длины заряженного провода, распределение идукциионного заряда на проводящей плоскости, зависящей от расстояния х до прямой, проведенной через провод и перпендикулярной опущенному на проводящую плоскость, а так же суммарный индуцированный заряд...
Я так полагаю ее надо бы решать через метод зеркального отображения, но меня интересует само решение, если кто может, то помогите, пожалуйста...
Спасибо, уже эту задачу решил...
(Сообщение отредактировал KMA 27 марта 2006 22:28)
|
Всего сообщений: 940 | Присоединился: декабрь 2005 | Отправлено: 26 марта 2006 22:06 | IP
|
|
Guest
Новичок
|
Ginza9
а не мог бы ты 1ю решить? а то я не смогу сам=(((
|
Всего сообщений: Нет | Присоединился: Never | Отправлено: 26 марта 2006 23:50 | IP
|
|
KMA
Долгожитель
|
Люди, кто мне подскажет где здесь ошибка... Такая вот задачка, даны четыре пластины, расстояние между которыми d. 1 и 3 соединены между собой проводком, а на 2 и 4 подается разность потенциалов U. Нужно найти поверхностную плотность заряда, на каждой из пласти, а также емкость цепи...
Короче, я делал так...
- - - - - - - - - -
_______________ 1
* E(I)
+ + + + + ++ + +
_______________ 2
* E(II)
+ + + + + + + + +
_______________ 3
* E(III)
- - - - - - - - - - - -
_______________ 4
ясно что |q1|=|q3|, |q2|=|q4|, где q (сигма), поверхностная плотность заряда...
Далее, я рассуждал так, находим напряженность поля в точке I, получаем E(I)=E1+E2+E3-E4=E1+E3=|q1|/eps0, где En есть напряженность поля создаваемое n-ой пластиной.
Для E(III)=E1-E2-E3-E4=|q2|/eps0. Ну и для E(II)=E1-E2+E3-E4=| |q2|/eps0 - |q1|/eps0 |... Вот, а далее, я строю схемку, эквивалентную четырем пластинам:
----------| |---------
| 2 4 |
| 1 3 |
-----| |------| |------
Вот, и у меня получается, что U/2=E(I)d, U/2=E(III)d, но тогда, из этого условия вытекает, что они равны, а значит EII=0 => U=0... Вот, кто мне подскажет, где в моих рассуждениях ошибка???
|
Всего сообщений: 940 | Присоединился: декабрь 2005 | Отправлено: 27 марта 2006 20:43 | IP
|
|
zimba
Удален
|
Помогите пожалуйста решить
В процессе радиоактивного распада, ядро 210 Po. которая в спокойном состоянии испускает альфа частицу в основном квантовом состоянии. Изначально, альфа частица имеет кинетическую энергию 5.77 МэВ.
Найти:
(а) другой продукт реакции
(б) начальная скорость ядра в этом процессе
(с) какую часть полной энергии реакции (энергии дизинтеграции) форимрует кинетическая энергия продукт
(д) Тепло освобождённое в результате распада 1.00 мг 210 Po в течение времени полураспада.
Спасибо за ранее
И ещё спасибо за прошлую задачу=)
|
Всего сообщений: N/A | Присоединился: N/A | Отправлено: 27 марта 2006 21:00 | IP
|
|
Jericho
Новичок
|
Цитата: KMA написал 27 марта 2006 20:43
Люди, кто мне подскажет где здесь ошибка... Такая вот задачка, даны четыре пластины, расстояние между которыми d. 1 и 3 соединены между собой проводком, а на 2 и 4 подается разность потенциалов U. Нужно найти поверхностную плотность заряда, на каждой из пласти, а также емкость цепи...
Короче, я делал так...
- - - - - - - - - -
_______________ 1
* E(I)
+ + + + + ++ + +
_______________ 2
* E(II)
+ + + + + + + + +
_______________ 3
* E(III)
- - - - - - - - - - - -
_______________ 4
ясно что |q1|=|q3|, |q2|=|q4|, где q (сигма), поверхностная плотность заряда...
Далее, я рассуждал так, находим напряженность поля в точке I, получаем E(I)=E1+E2+E3-E4=E1+E3=|q1|/eps0, где En есть напряженность поля создаваемое n-ой пластиной.
Для E(III)=E1-E2-E3-E4=|q2|/eps0. Ну и для E(II)=E1-E2+E3-E4=| |q2|/eps0 - |q1|/eps0 |... Вот, а далее, я строю схемку, эквивалентную четырем пластинам:
----------| |---------
| 2 4 |
| 1 3 |
-----| |------| |------
Вот, и у меня получается, что U/2=E(I)d, U/2=E(III)d, но тогда, из этого условия вытекает, что они равны, а значит EII=0 => U=0... Вот, кто мне подскажет, где в моих рассуждениях ошибка???
А мне кажется так (может бред.. не знаю)
q1..q4=пов-е плотности (с учетом знака!)
q1=-q3, q2=-q4;
u1=u3; u2-u4=u (ну, пусть u4=0 для простоты)
E(I)=E2+E3+E4-E1 (считаем, что все пластины (+) тогда напряженность E1-вниз, E2,E3,E4 - вверх. Если же на какой-то пластине (-), то направление автоматически изменится знаком q. Результируеющие E, соответсвенно, направленны "вверх")
E(II)=E3+E4-E2-E1
E(III)=E4-E2-E1-E3
условие для напряжений:
U1-U3=(U1-U2)+(U2-U3)=E(I)*d+E(II)*d=0
отсюда
q3+q4-q1=-q2-2*q1=0 => q2=-2*q1
для двух других пластин (Eпластины=q/(2*eps0))
U=U2-U4=(U2-U3)+(U3-U4)=(E(II)+E(III))*d=2*(q4-q1-q2)*d/(2*eps0)=d*(-q1-2*q2)/eps0
q1=U*eps0/(3*d)
q2=-2*U*eps0/(3*d)
емкость: Су=|q2|*S/U=2/3 (S*eps0/d)
соответственная эквивалентная схема получается:
-----||-----
----| |-------
| -----||----- |
| U
|--------||-----------|
Можно найти емкость отсюда:
1/Ce=1/C+1/2C=3/(2C)=>Ce=2C/3=2/3 (S*eps0/d)
C-емкость каждого конденсатора
т.е. то же самое выражение, что и выше.
(Сообщение отредактировал Jericho 28 марта 2006 19:07)
|
Всего сообщений: 3 | Присоединился: март 2010 | Отправлено: 28 марта 2006 18:35 | IP
|
|
Jericho
Новичок
|
Цитата: Ginza9 написал 25 марта 2006 23:38
2 Guest
2. Выделяем внутри слоя параллелепипед. Затем пользуемся теоремой Гаусса. Силовые линии идут только через две поверхности нашего параллелепипеда площадью S каждая.
E*2*S = Q/e0
p0 = Q/V
V = S*d (d - толщина слоя)
Получаем, что E = [p0*d]/[2*e0]
Разность потенциалов равна U = E*d
U = [p0*d^2]/[2*e0]
А мне кажется что не так :)
ВНУТРИ слоя:
E = [p0*x]/[e0], где x-расстояние от центра слоя до точки, в которой меряем напряженность
U=Integral(Edx)=p0*x^2/(2*e0) в пределах от -d/2 до d/2 получается 0 (т.е. до середины слоя работа идет над полем, а пол-слоя поле совершает ту же работу над пробным зарядом, т.к. направление напряженности меняется на обратное)
Может я торможу, найдите где ошибка :))
|
Всего сообщений: 3 | Присоединился: март 2010 | Отправлено: 28 марта 2006 19:01 | IP
|
|
Jericho
Новичок
|
Цитата: Guest написал 26 марта 2006 9:31
Ginza9
а ты не мог бы написать решение 1й?? очень надо!!! а то у мемя самого много глюков в решении будет...=///
1.Определить напряженность поля в точке О полубесконечной равномерно заряженной с плотностью
Напишешь нормально условие (ничерта непонятно, честно) - помогу решить... если надо еще.
|
Всего сообщений: 3 | Присоединился: март 2010 | Отправлено: 28 марта 2006 19:10 | IP
|
|
Ginza9
Удален
|
Цитата: Jericho написал 28 марта 2006 19:01
Цитата: Ginza9 написал 25 марта 2006 23:38
2 Guest
2. Выделяем внутри слоя параллелепипед. Затем пользуемся теоремой Гаусса. Силовые линии идут только через две поверхности нашего параллелепипеда площадью S каждая.
E*2*S = Q/e0
p0 = Q/V
V = S*d (d - толщина слоя)
Получаем, что E = [p0*d]/[2*e0]
Разность потенциалов равна U = E*d
U = [p0*d^2]/[2*e0]
А мне кажется что не так 
ВНУТРИ слоя:
E = [p0*x]/[e0], где x-расстояние от центра слоя до точки, в которой меряем напряженность
U=Integral(Edx)=p0*x^2/(2*e0) в пределах от -d/2 до d/2 получается 0 (т.е. до середины слоя работа идет над полем, а пол-слоя поле совершает ту же работу над пробным зарядом, т.к. направление напряженности меняется на обратное)
Может я торможу, найдите где ошибка )
Найди в моём решении ошибку.
|
Всего сообщений: N/A | Присоединился: N/A | Отправлено: 28 марта 2006 19:59 | IP
|
|
Jericho
Новичок
|
Найди в моём решении ошибку.
формула U = E*d справедлива только если E=const. Внутри заряженного слоя это не так. Да и вообще, если задача абсолютно симметрична, почему потенциал одной из сторон слоя должен быть больше, чем другой? Может я неправильно понял условие, или автор неправильно его сюда запостил?
|
Всего сообщений: 3 | Присоединился: март 2010 | Отправлено: 28 марта 2006 20:53 | IP
|
|
|
Форум
Решение задач по физике
