muterix
Удален
|
Масса фотона зависит от его энергии, то есть от частоты. Если (delta f)/f0 << 1, то массу можно считать постоянной. Тогда по закону сохранения энергии -G*M*h*f0/R*c^2=h*(delta f), так как на очень большом расстоянии энергия гравитационного взаимодействия стремится к нулю. Отсюда смещение по модулю равно -G*M/(R*c^2). Возможно, это бред... (Сообщение отредактировал muterix 23 марта 2006 18:17)
|
Всего сообщений: N/A | Присоединился: N/A | Отправлено: 23 марта 2006 15:16 | IP
|
|
Guest
Новичок
|
А где ты зти решения к Иродову достал? Кинь ссылочку.
|
Всего сообщений: Нет | Присоединился: Never | Отправлено: 23 марта 2006 17:10 | IP
|
|
muterix
Удален
|
Вы это кому?
|
Всего сообщений: N/A | Присоединился: N/A | Отправлено: 23 марта 2006 17:36 | IP
|
|
Guest
Новичок
|
Люди, помогите пожалуйста решить задачу 3,144 из Иродова 79 года. Суть её в следующем: плоский конденсатор располагают так, что одна его пластина находиться на поверхностью жидкости, а вторая - в жидкости. Диэлектрич. приницаемость жидкости E, плотность жидкости -p. Найти, насколько поднимиться уровень жидкости, в конденсаторе после сообщения его пластинам заряда с пов. плотностью сигма. Вроде бы W1-W2=mgh, но с ответом не совсем совпадает... Или может я что-то не так делаю... заранее спасибо
|
Всего сообщений: Нет | Присоединился: Never | Отправлено: 23 марта 2006 22:30 | IP
|
|
VF
Administrator
|
Guest На этом сайте ее решения разве нет?
|
Всего сообщений: 3110 | Присоединился: май 2002 | Отправлено: 24 марта 2006 9:32 | IP
|
|
Jericho
Новичок
|
Изменение энергии конденсатора в результате изменения уровня жидкости = изменению потенциальной энергии жидкости (e-проницаемость, e0- эпсилон-ноль в СИ, q=sigma*S=const - заряд на пластинах): q^2/(2*C2)-q^2/(2*C1)=m*g*dh/2 емкость: 1/C=(L-h)/(e0*S)+h/(e*e0*S)=(L+h[(1-e)/e])/(e0*S) m=h*S*ro отсюда, все подставляя: dh=(e-1)/(e*e0) sigma^2/(ro*g) типа того, короче
|
Всего сообщений: 3 | Присоединился: март 2010 | Отправлено: 24 марта 2006 13:46 | IP
|
|
Guest
Новичок
|
Очень нужно решить 2 задачи, буду очень признателен тем кто поможет! 1.Определить напряженность поля в точке О полубесконечной равномерно заряженной с плотностью 20 мкКл/м нити. (R=20 см). ____________________ / | . О \ ___ Нить примерно вот такая=)) радиус-радиус этой полуокружности. 2. Заряд распределен равномерно по объему безграничного плоскопараллельного слоя толщиной 5 см с плотностью "ро"=2мкКл/м^3. Найти разность потенциалов между поверхностями слоя.
|
Всего сообщений: Нет | Присоединился: Never | Отправлено: 25 марта 2006 1:36 | IP
|
|
Ginza9
Удален
|
2 Guest 2. Выделяем внутри слоя параллелепипед. Затем пользуемся теоремой Гаусса. Силовые линии идут только через две поверхности нашего параллелепипеда площадью S каждая. E*2*S = Q/e0 p0 = Q/V V = S*d (d - толщина слоя) Получаем, что E = [p0*d]/[2*e0] Разность потенциалов равна U = E*d U = [p0*d^2]/[2*e0]
|
Всего сообщений: N/A | Присоединился: N/A | Отправлено: 25 марта 2006 23:38 | IP
|
|
Guest
Новичок
|
2 Ginza9 Спасибо преогромное!!! с меня пиво=)) а ты уверен в решении??? мне очень важно, чтобы задачи были решены правильно!! а 1ю не знаешь?
|
Всего сообщений: Нет | Присоединился: Never | Отправлено: 26 марта 2006 0:00 | IP
|
|
Ginza9
Удален
|
У тебя ответов нет? Откуда задачи? Знаю. Выделяешь маленький элемент, ищешь напряжённость, создаваемую этим элементом. Потом суммируешь все элементы. Получаешь ответ.
|
Всего сообщений: N/A | Присоединился: N/A | Отправлено: 26 марта 2006 0:14 | IP
|
|