Форум
» Назад на решение задач по физике и термеху
Регистрация | Профиль | Войти | Забытый пароль | Присутствующие | Справка | Поиск

» Добро пожаловать, Гость: Войти | Регистрация
    Форум
    Физика
        Электронные версии журналов физико-математического профиля
Отметить все сообщения как прочитанные   [ Помощь ]
» Добро пожаловать на форум "Физика" «

Переход к теме
<< Назад Вперед >>
Несколько страниц [ 1 2 3 ]
Модераторы: duplex, Roman Osipov, gvk
  

Alexeyy


Новичок

Никто не подписан на журнал:
http://www.wkap.nl/prod/b/90-277-0567-4  (Вроде бы Journal of Mathematics and Mechanics, 17, 1967, pp.59-87)?

Всего сообщений: 1 | Присоединился: декабрь 2010 | Отправлено: 23 июня 2004 5:06 | IP
gold


Удален

У кого-нибудь есть доступ к (русской) библиотеке (не online) где был бы древний ЖЭТФ?
Нужна статья  
Ginzburg, Landau, ЖЭТФ 20, 1064 (1950).

Это классическая статья, в которой опубликована теория сверхпроводимости Гинсбурга-Ландау....на английский ЖЭТФ тогда не переводился.....очень хотелось бы иметь аккуратный скан оригинала.

Если интересно, могу поделиться статьёй Абрикосова, за которую он Нобеля в прошлом году получил. Его статься опубликована в ЖЭТФ чуть позже (1957), когда ЖЭТФ уже переводили....и у меня английский вариант.

Жду помощи от соотечественников........

Всего сообщений: N/A | Присоединился: N/A | Отправлено: 1 июля 2004 17:01 | IP
papa alex


Удален

Временно удалено.



(Сообщение отредактировал papa alex 20 дек. 2004 22:21)

Всего сообщений: N/A | Присоединился: N/A | Отправлено: 19 авг. 2004 7:58 | IP
madmax


Удален

Есть доступ к забугорным журналам, пишите на e-mail

Всего сообщений: N/A | Присоединился: N/A | Отправлено: 7 сен. 2004 15:29 | IP
Spadar


Удален

Успехи Физических Наук с 1993 года, если кто не в курсе

http://www.ufn.ru/russian/main_r.html

Всего сообщений: N/A | Присоединился: N/A | Отправлено: 10 марта 2005 0:34 | IP
Vorona


Новичок

Кто-нибудь знает как заполучить (полные) статьи из IEEE журналов (конкретно: всё по микроэлектронике)? Очень нужно....
по этой ссылке можно найти абстракты многих статей:
http://www.scientific.net



(Сообщение отредактировал Vorona 28 марта 2005 23:04)

Всего сообщений: 7 | Присоединился: октябрь 2009 | Отправлено: 28 марта 2005 22:48 | IP
leva


Удален


Цитата: Vorona написал 28 марта 2005 22:48
Кто-нибудь знает как заполучить (полные) статьи из IEEE журналов (конкретно: всё по микроэлектронике)? Очень нужно....

Еще конкретнее. Журнал/том/страница. Может быть у меня найдется информация по требуемой статье.

Всего сообщений: N/A | Присоединился: N/A | Отправлено: 1 апр. 2005 14:33 | IP
Vorona


Новичок

Ну если конкретно, то:
.      R. Raghunathan and B. Baliga, “High voltage 4H-SiC Schottky barrier diodes,” IEEE Electron Device Lett., vol.16, pp.226-227, 1995.
http://www.scientific.net/default.cfm?pdf=1&issn=0255-5476&pg=1&ppg=201&paper=933&isbn=0-87849-790-0

2.      R. Held, N. Kaminski and E. Niemann. “SiC merged p-n/Schottky for high voltage applications.” In Proc.7-th Int. Conf. Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Materials Science Forum, vol.264-268, 1998, pp. 1057-1060.

http://www.scientific.net/default.cfm?pdf=1&issn=0255-5476&pg=1&ppg=241&paper=1057&isbn=0-87849-790-0

3.      F. Dahliquist, C. M. Zetterling, M. Osting and K. Rottner. “Junction barrier Schottky diodes in 4H-SiC and 6H-SiC.” In Proc. 7-th Int. Conf. Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Materials Science Forum, vol.264-268, 1998, pp.1061-1064.
http://www.scientific.net/default.cfm?pdf=1&issn=0255-5476&pg=1&ppg=241&paper=1061&isbn=0-87849-790-0


4.      K. J. Schoen, J. P. Henning, J. M. Woodall, J. A. Cooper and M. R. Melloch. “A dual-metal trench Schottky pinch-rectifier in 4H-SiC.” In Pro c. 7-th Int. Conf/ Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Materials Science Forum, vol.264-268, 1998, pp.945-968.
http://www.scientific.net/default.cfm?pdf=1&issn=0255-5476&pg=1&ppg=221&paper=945&isbn=0-87849-790-0

5.      R. Rupp, M. True, A. Mauder, E. Griebl, W. Bartsch and D. Stephani. “Performance and reliability issues of SiC Schottky diodes.” In Proc. 8-th Int. Conf. Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Materials Science Forum, vol.338-342, 2000, pp.1167-1170.        
http://www.scientific.net/default.cfm?pdf=1&issn=0255-5476&pg=1&ppg=281&paper=1167&isbn=0-87849-854-0



6.D. Alok and B. Baliga, “Planar edge terminations for 4H-SiC devices”, IEEE Trans. Electron Devises. Lett., vol. 43, pp.1315-1317, 1996

7.“SiC devises edge termination using finite area argon implantation,” IEEE Trans. Electron Devices, vol.44, pp1013-1017, 1997

8.A. Iton, T. Kimoto and H. Matsunami. “Excellent reverse blocking characteristics of high voltage 4H-SiC Schottky rectifiers with boron implanted edge termination.” IEEE Electron Devises Lett., vol.17, pp139-141, 1996.  




Всего сообщений: 7 | Присоединился: октябрь 2009 | Отправлено: 4 апр. 2005 19:29 | IP
dm


Удален

Господа! Нужна статья:
Barnsley M.F. Fractal functions and interpolation.// Constructive Approximation. Vol. 2, #4, 1986, p.303-329.
Моя проблема в том, что, похоже, этот номер из тех, которые еще не были в электронной форме. (На сайте Springer доступны по подписке только более поздние тома.)
А в бумажном виде в Киеве именно этого номера нет.
Так что возможные варианты: отсканировать, задежавюшить и где-то выложить или отксерить и послать обычной почтой.
Заранее благодарен за любую помощь в поиске статьи.
Мыло в профиле.


(Сообщение отредактировал dm 5 апр. 2005 14:30)

Всего сообщений: N/A | Присоединился: N/A | Отправлено: 5 апр. 2005 15:28 | IP
Vorona


Новичок

Alexeyy, на подходит такое?
A logico-algebraic approach to the model theory of knowledge  •
Theoretical Computer Science, Volume 66, Issue 2, 20 August 1989, Pages 205-232
M. A. Nait Abdallah

Всего сообщений: 7 | Присоединился: октябрь 2009 | Отправлено: 2 мая 2005 15:09 | IP

Эта тема закрыта, новые ответы не принимаются

Переход к теме
<< Назад Вперед >>
Несколько страниц [ 1 2 3 ]

Форум работает на скрипте © Ikonboard.com