Keeper
Новичок
|
    
Вообще говорят о коэффициенте адсорбции. При пересчете его на один атом получается _вероятность прилипания_.
Оценка этой величины обычно производится экспериментально (или из компьютерных экспериментов).
У меня вопрос: можно ли как-нибудь оценить вероятность прилипания аналитически? Зная энергию связи, хим. потенциал и т.п...
|
Всего сообщений: 3 | Присоединился: апрель 2011 | Отправлено: 3 окт. 2005 17:08 | IP
|
|
gvk 
Модератор
|
По моему все зависит еще от скорости иона. Если ион покоится, то он притягивается к любой незаряженной металлической или диэлектрической поверхности. Силу притяжения можно вычислить из электростатики (см например Ландау). Думаю что коэф. адсорб. можно вычислить если вы четко представляете его определение.
|
Всего сообщений: 835 | Присоединился: октябрь 2003 | Отправлено: 3 окт. 2005 22:18 | IP
|
|
Keeper
Новичок
|
Ну, мы бомбим поверхность ионами с очень низкой энергией. Порядка 100 эВ. Т.е. зная энергию иона (и, соответственно, вещество) можно вычислить и скорость, хотя я думаю, что энергии бомбардировки и параметров вещества будет достаточно.
Кстати, когда говорят про адсорбцию никогда (т.е. я не встречал) не говорят про бомбордировку поверхности, а имеют ввиду осаждение на поверхность из другой фазы. А мне нужно именно при бомбардировке.
|
Всего сообщений: 3 | Присоединился: апрель 2011 | Отправлено: 4 окт. 2005 13:50 | IP
|
|
Sergey Z
Новичок
|
  
Я подозреваю, что здесь будет что-то типа аррениусовской экспоненты exp(E/kT), где Е - глубина потенциальной ямы, в которую попадает ион на поверхности. Как оценить эту Е, я пока не догадываюсь, но постараюсь придумать или подсмотреть где-то в литературе.
|
Всего сообщений: 49 | Присоединился: август 2005 | Отправлено: 4 окт. 2005 15:30 | IP
|
|
gvk
Модератор
|
Цитата: Keeper написал 4 окт. 2005 22:50
Кстати, когда говорят про адсорбцию никогда (т.е. я не встречал) не говорят про бомбордировку поверхности, а имеют ввиду осаждение на поверхность из другой фазы. А мне нужно именно при бомбардировке.
И это правильно. Адсорбция -это прилипание за счет межмолекулярных и электростатических сил, когда атомы в газовой среде при определенной температуре <~1 эВ (если в жидкости, то кажется это эпитаксия). У вас направленный пучок и ионы не прилипают к поверхности, а застревают в приповерхностном слое. Это очень разработанная область ( полупроводниковая технология) и называется имплантация.
|
Всего сообщений: 835 | Присоединился: октябрь 2003 | Отправлено: 4 окт. 2005 17:21 | IP
|
|
Keeper
Новичок
|
Дело в том что при имплантации энергии бомбардирующих частиц на порядок выше. Сама имплантация ионов это их внедрение на определенную глубину в подложку. С ее помощью, например, легируют полупроводники.
А у нас энергия бомбардировки очень низкая. Конечто, часть ионов проникает в поверхность, более того, максимум концентрации находитя на глубине 5 А. Но при таких энергиях часть инов останется на поверхности. А часть отразится.
Ну я и хочу оценить, какя часть отразится, какая останется на поверхности.
Я подозреваю, что здесь будет что-то типа аррениусовской экспоненты exp(E/kT), где Е - глубина потенциальной ямы, в которую попадает ион на поверхности
Вот-вот, и у меня такие мысли.
Т.е. 1- exp(-[E/kT]), только о Е я думал как о энергии когезии (и у меня есть ее таблицы), но это связанные величины.
Только в таком виде формула не работает. Чего-то в ней не хватает.
|
Всего сообщений: 3 | Присоединился: апрель 2011 | Отправлено: 4 окт. 2005 20:09 | IP
|
|
gvk
Модератор
|
А как вы получаете данные по глубине застревания? Все наверно делается в вакууме. Что у вас за установка (коммерческая или своя)? Какие параметры пучка (тип ионов, ток, расходимость)? Напишите поподробней, это интересно.
|
Всего сообщений: 835 | Присоединился: октябрь 2003 | Отправлено: 5 окт. 2005 6:21 | IP
|
|
Sergey Z
Новичок
|
Цитата: Keeper написал 4 окт. 2005 20:09
Вот-вот, и у меня такие мысли.
Т.е. 1- exp(-[E/kT]), только о Е я думал как о энергии когезии (и у меня есть ее таблицы), но это связанные величины.
Только в таком виде формула не работает. Чего-то в ней не хватает.
Дело в том, что чаще всего в литературе такие вещи (энергия Е) оцениваются эмпирически, т.е. являются т.н. подгоночными параметрами.
Есть кинетическая энергия иона и есть вот эта самая Е. Может в качестве числителя в показателе экспоненты надо ставить разность между Е и кин. энергией? Тогда получится, что если Е больше, то ион останется и наоборот.
|
Всего сообщений: 49 | Присоединился: август 2005 | Отправлено: 5 окт. 2005 11:28 | IP
|
|
Keeper
Новичок
|
Цитата: gvk написал 5 окт. 2005 5:21
А как вы получаете данные по глубине застревания? Все наверно делается в вакууме. Что у вас за установка (коммерческая или своя)? Какие параметры пучка (тип ионов, ток, расходимость)? Напишите поподробней, это интересно.
Мы пишем математическую и компьютерную модель, а эксперимент делают в другом университете. Сейчас работаем над напылением пленок.
Коэффициент прилипания ионов я все-таки оценил. Но не через энергию связи.
Дело в том, что концентрация примеси по глубине распределяется приблизительно по гауссиане. Параметры, характеризующие распределение у меня рассчитываются.
Понятно, что если достроить распределение за пределы подложки, и посчитать площадь под частью этой графика концентрации получится коэффициент отражения (RC). 1 - RC и будет коэффициентом прилипания.
Разумеется, все это больше приближение, но для наших нужд пока хватит.
Штука оказалась известной давно, но я не знал где искать
|
Всего сообщений: 3 | Присоединился: апрель 2011 | Отправлено: 1 нояб. 2005 15:28 | IP
|
|
gvk
Модератор
|
Цитата: Keeper написал 2 нояб. 2005 0:28
Коэффициент прилипания ионов я все-таки оценил. Но не через энергию связи. ....
Что у вас получилось?
|
Всего сообщений: 835 | Присоединился: октябрь 2003 | Отправлено: 1 нояб. 2005 18:41 | IP
|
|
|
Форум
Коэффициент прилипания ионов
